过压击穿是可控硅击穿的主要缘由之一，可控硅对过压的接受才能简直是没有时间的，即便在几毫秒的短时间内过压也会被击穿的，因而实践应用电路中，在可控硅两端一定要接入RC吸收回路，以防止各种无规则的干扰脉冲所惹起的霎时过压。假如经常发作可控硅击穿，请检查一下吸收回路的各元件能否有烧坏或失效的。

    其实过流击穿与过热击穿是一回事。过流击穿就是电流在经过 可控硅 芯片时在芯片内部产生热效应，使芯片温度升高，当芯片温度到达175℃时芯片就会失效且不能恢复。在正常的运用条件下，只需工作电流不超越可控硅额定电流是不会发作这种热击穿的，由于过流击穿原理是由于温度升高所惹起的，而温度升高的过程是需求一定时间的，所以在短时间内过流（几百毫秒到几秒时间）普通是不会击穿的。

    这里所说的过热击穿是指在工作电流并不超越可控硅额定电流的状况下而发作的热击穿，发作这种击穿的缘由主要是可控硅的辅助散热安装工作不良而惹起可控硅芯片温渡过高招致击穿。关于采用水冷方式工作的，主要检查进水温度能否过高（普通请求水温应在25℃以下，但最高不能超越35℃），流量能否充足；关于采用风冷方式工作的，应检查风扇的转数能否正常，还有环境温度也不能太高等，但无论是风冷的还是水冷的。