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晶体管和mos管区别是什么?

晶体管和mos管区别是什么?

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  • 发布时间:2022-05-02 20:58
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【概要描述】mos管是金属(metal)-氧化物(oxide)-半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属-绝缘体(insulator)-半导体。MOS管的source和drain是能够对调的,他们都是在P型backgate中构成的N型区。在多数状况下,这个两个区是一样的,即便两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被以为是对称的。

晶体管和mos管区别是什么?

【概要描述】mos管是金属(metal)-氧化物(oxide)-半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属-绝缘体(insulator)-半导体。MOS管的source和drain是能够对调的,他们都是在P型backgate中构成的N型区。在多数状况下,这个两个区是一样的,即便两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被以为是对称的。

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    mos管是金属(metal)-氧化物(oxide)-半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属-绝缘体(insulator)-半导体。MOS管的source和drain是能够对调的,他们都是在P型backgate中构成的N型区。在多数状况下,这个两个区是一样的,即便两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被以为是对称的。

    严厉意义上讲,晶体管泛指一切以半导体资料为根底的单一元件,包括各种半导体资料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等。晶体管有时多指晶体三极管。晶体管主要分为两大类:双极性晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET)。

    晶体管有三个极;双极性晶体管的三个极,分别由N型跟P型组成发射极(Emitter)、基极(Base) 和集电极(Collector);场效应晶体管的三个极,分别是源极(Source)、栅极(Gate)和漏极(Drain)。

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